Polos 웨이퍼 베이킹용 핫플레이트(Hotplate)       Spincoater Main

웨이퍼 베이킹(소프트 베이킹, 하드베이킹)용 핫플에트 - 뚜겅장착 및 과 리프팅 업 기능

 

Polos HP200AD Hotplatr for soft bake or hard bake ,


R&D와 Pilot Line용으로 적합


정확한 디지털 온도제어 1°C.
정밀한 온도제어가 필요한 PR의소프트베이크나 하드베이크 큐어링용으로 적합

사양:

  • Low surface temperature: gradient heating unit (safe housing temp);
  • Diagnostic serial interface (RS232);
  • Precision temperature controlling system: uniform temp.: +/- 0,5°C;
  • Digital temperature controller: adjustable in steps of 1°C;
  • Countdown timer (1-999 sec.) with acoustic alert.

Hot Plate with cover, POLOS-HP200AD

-Polos Precision Bake Plate
-온도범위:50-230C

Hot Plate POLOS-HP200AD
Polos Precision Bake Plate
-Temperature Range:50-230C
-Countdown timer:1-999sec with accoustic 알림
-Temperature Unioformity :+_1C
- Vacuum contact
- Lifting pins, automatic (set in 80mm diagonal only)
- Proximity pins (3x manual adjustment)
-Heater Surface Area: 220 x 220 mm
-히팅판 :Aluminium (anodised)
-Suitable for 1 x 200 mm wafer
-Power Max :1200w220 vac
--Heater block material :Aluminium (anodised)
-Housing Material : Stainless Steel
-치수:450 x 320 x135 mm
-뚜껑 :stainless steel 상부 뚜겅 열방지용 절연판 장착
-The POLOS Hotplate is available for soft bake , hard bake

-고온에서 안정적으로 Hot Plate 온도를 정밀 제어 가능

 

- 리프팅 핀 장착 , 프록시핀 장착 , 베큠 파지 기능 , 힌지드 카버.

 

 

-Polos hotplate HP200ad,

-500s hotplate for 500mm x 500mm area

-별도 사이즈 제작 가능

-카탈로그

-포토리소그라피 공정에서, 포토레지스트를 기판 상에 도포하기 전 또는 후에 기판을 가열하는 공정이 포함되는데, 이를 베이킹 공정이라 한다.

상기 베이킹 공정에서 상기 포토레지스트 내에 포함되어 있는 유기용매, 예를 들어 솔벤트가 퓸(fume)의 형태로 제거된다.
베이킹 공정은 일반적으로 다음의 네 단계 공정을 포함한다.

첫 번째는 포토레지스트를 기판 상에 도포하기 전에 기판을 소정의 온도로 가열하여 기판 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이킹(pre-baking) 단계.

두 번째는 포토레지스트를 기판 상에 도포한 직후에 행하는 소프트 베이킹(soft-baking) 단계.

세 번째는 포토레지스트를 노광시킨 후에 행하는 노광후 베이킹(post exposure -baking) 단계.

마지막 네 번째는 노광 후 변형된 포토레지스트를 현상(develop)한 후에 행하는 하드 베이킹(hard-baking) 단계이다.


상기와 같은 베이킹 공정이 수행되는 베이킹 장치는, 일반적으로 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 가열하는 핫플레이트 및 상기 핫플레이트가 설치되는 챔버를 구비한다. 베이킹시 포토레지스트로부터 발생되는 퓸을 챔버 외부로 배출하기 위하여 상기 챔버 내부에 퍼징가스(purging gas), 예를 들어 N2 가스가 공급된다. 이 때, 상기 퍼징가스는 웨이퍼의 온도편차를 발생시키는 요소로 작용하여, 그 결과 상기 웨이퍼 상에 집적되는 반도체 소자의 임계치수(critical dimension)에 큰 영향을 미친다. 베이킹 공정에 있어서 베이킹 장치의 열적 안정도는 매우 중요한 요소로 작용한다. 베이킹 장치의 열적 안정도가 떨어질 경우, 반도체 기술의 고집적화가 요구하는 정밀도를 충족시킬 수 없다. 상기와 같은 베이킹 공정에서 중요한 점 은 웨이퍼를 균일하게 가열하는 것이다.


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